Conform TechSpot, zece foști angajați ai Samsung Electronics au fost acuzați de Parchetul Districtului Central din Seul pentru încălcarea Legii de Protecție a Tehnologiei Industriale din Coreea de Sud, care restricționează divulgarea internațională a tehnologiei de bază națională. Cinci dintre aceste persoane sunt descrise ca fiind personal cheie în dezvoltare, inclusiv un fost director executiv, în timp ce ceilalți ar fi ocupat poziții de nivel de secțiune în dezvoltare și cercetare. Se presupune că CXMT, principalul producător chinez de DRAM, a recrutat acești foști ingineri Samsung.
Procurorii clasifică proprietatea intelectuală furată ca fiind tehnologia de bază de 10 nanometri a Samsung pentru DRAM, dezvoltată pe parcursul a aproximativ cinci ani, cu un cost de aproximativ 1,6 trilioane de woni, într-o perioadă în care Samsung era singura companie care producea în masă DRAM de 10 nm. Cei zece inculpați sunt acuzați că au utilizat companii fantomă și au schimbat frecvent locațiile birourilor pentru a-și ascunde activitățile în timp ce sprijineau programele de dezvoltare ale CXMT.
Procesul Samsung pentru DRAM de 10 nanometri este un flux extrem de integrat care cuprinde sute de pași secvențiali, de la modelarea frontală și formarea celulelor până la metalizarea și testarea finală. Autoritățile cred că “sute de pași ai procesului DRAM” au fost copiați și scurși, echivalând cu o rețetă de proces aproape completă pentru producția de masă de 10 nm. Procurorii susțin că transferul presupus a permis CXMT să evite mult din încercările și erorile necesare de obicei pentru a aduce un nou nod DRAM în producția de masă.
Două persoane identificate doar ca “A” și “B” în rapoartele coreene au jucat roluri centrale în schemă. Asia Business Daily descrie pe A ca un fost director executiv Samsung care ulterior a condus dezvoltarea la CXMT, supraveghind munca pe DRAM de 10 nanometri pentru firma chineză. B este un personal cheie de cercetare care a obținut informații detaliate despre fabricarea DRAM înainte de a se muta ulterior în roluri legate de CXMT.
Chosun Daily raportează că B “a transcris manual 12 pagini de informații pentru a evita detectarea”, o tactică modelată de regulile stricte de securitate a informațiilor în fabricile de semiconductori. Potrivit ziarului, companiile din sector tratează documentația de proces ca fiind extrem de sensibilă, iar copierea directă a fișierelor digitale sau fotografierea ecranelor cu smartphone-uri poate fi mai ușor semnalată de sistemele interne de monitorizare.
Se presupune că CXMT, principalul producător chinez de DRAM, a recrutat foști ingineri Samsung în centrul cazului de scurgere de DRAM de 10 nm
CXMT a continuat să producă în masă primul DRAM de 10 nanometri al Chinei în 2023, o realizare pe care procurorii spun că este “dificil de explicat” fără acces la foaia de parcurs a procesului Samsung. CXMT și-a consolidat ulterior poziția ca lider chinez în producția de DRAM, folosind nodul ca fundație pentru produse mai avansate.
CXMT a început producția în masă a HBM2 în 2024, cu aproximativ doi ani înainte de așteptările publice anterioare. HBM2-ul CXMT se bazează pe o interfață de 1.024 de biți cu rate de date per pin de până la aproximativ 3.2 GT/s, plasând compania cu câteva generații în urmă față de liderii HBM3 și HBM3E, dar marcând totuși un pas major pentru ecosistemul AI și de calcul de înaltă performanță al Chinei.
Analiștii cred că CXMT ar putea captura până la 15% din piața globală de DRAM în următorii ani pe măsură ce crește producția de DDR5, LPDDR5 și HBM. Totuși, cota reală va depinde în mare măsură de randament și utilizarea capacității.
Pe măsură ce CXMT își extinde producția de DRAM de 10 nanometri și crește producția de HBM2, oficialii sud-coreeni avertizează că competiția de prețuri și eroziunea cotei ar putea comprima marjele în următorul ciclu, mai ales dacă oferta chineză crește mai repede decât cererea pe piețele de AI și centre de date.
Cazul CXMT urmează unei serii de urmăriri penale care implică ingineri de semiconductori sud-coreeni și firme chineze. Un fost inginer SK hynix a fost arestat mai devreme în acest an pe un aeroport înainte de a se îmbarca într-un zbor către China sub suspiciunea de a încerca să scurgă tehnologie legată de HBM. Un alt inginer SK hynix a primit o sentință de 18 luni de închisoare pentru contrabandă cu documente confidențiale în pungi de cumpărături, ca parte a unei presupuse încercări de a vinde informații către Huawei.
Luate împreună, aceste incidente au determinat autoritățile sud-coreene să extindă investigațiile privind scurgerile de tehnologie de semiconductori în străinătate și să întărească aplicarea Legii de Protecție a Tehnologiei Industriale. Procurorii și oficialii de securitate națională descriu tehnologia procesului DRAM și HBM ca fiind o infrastructură critică pentru competitivitatea economică a țării și ca un activ strategic.
