“PoX” poate executa 25 de miliarde de operații pe secundă
Ce s-a întâmplat? Cercetătorii de la Universitatea Fudan din Shanghai au prezentat un dispozitiv de memorie flash care atinge viteze de neegalat. Denumit „PoX”, acesta poate programa date în doar 400 picosecunde (patru sute de trilioane de secunde), devenind astfel cel mai rapid dispozitiv de stocare în semiconductori înregistrat vreodată.
Echipa de la Fudan a folosit grafen, un material bidimensional cunoscut pentru proprietățile sale electrice excepționale. Spre deosebire de siliciu, grafenul permite un transport de sarcină aproape fără restricții, datorită unui mecanism numit „super-injecție”.
Memoriile non-volatile, precum flash-ul, păstrează datele fără alimentare și consumă mult mai puțină energie decât memoriile volatile, dar au fost întotdeauna mai lente, necesitând microsecunde sau milisecunde pentru acces. PoX reduce acest timp la picosecunde, eliminând astfel vechiul blocaj de viteză.
Potrivit profesorului Zhou Peng, diferența este uluitoare: „E ca și cum dispozitivul ar lucra de un miliard de ori în clipa unui ochi, în timp ce un stick USB obișnuit lucrează doar de 1.000 de ori. Fostul record era de 2 milioane.”
Aplicațiile PoX depășesc electronicele de consum. În inteligența artificială, viteza de acces și prelucrare a datelor este esențială pentru performanță. Cu viteza sa fără precedent și consumul redus, PoX ar putea permite procesarea în timp real a unor volume enorme de date, reducând în același timp consumul de energie pentru mișcarea informației.
Pentru comparație, PoX poate realiza 25 de miliarde de operații pe secundă – cu un factor de 100.000 mai rapid decât recordul anterior pentru tehnologii similare.
Având în vedere nivelul tot mai ridicat al cerințelor pentru AI, memoria PoX reprezintă un salt major. Memoriile volatile (RAM statică sau dinamică) sunt rapide, dar își pierd datele când se oprește alimentarea. PoX oferă viteza și persistă fără curent.
